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专利摘要显示，本发明提供一种密封结构及半导体处理装置。所述密封结构用于对半导体处理装置中反应腔室进行密封，包括：第一密封结构和第二密封结构，所述第一密封结构设置于所述第二密封结构的内侧；所述第一密封结构包括第一密封件，所述第一密封件采用全氟醚橡胶制成；所述第二密封结构包括第二密封件，所述第二密封件采用非全氟醚橡胶制成。本发明的目的在于提供一种稳定的真空密封结构，提高密封效果。
8月12日，沪深两融数据显示，半导体(512480)获融资买入额1.58亿元，居两市第12位，当日融资偿还额1.38亿元，净买入2062.39万元。
7月9日，超威半导体获KeyCorp下调目标价至220美元，最新评级Overweight。
研报预计，公司2024-2026年归母净利润分别42.6/68.3/108.7百万元。研报认为，公司半导体用石英制品销售占比加大，整体毛利率提升。公司的主要客户包括通美晶体、吉林华微、北方华创等半导体公司。公司高端制品认证进度略低于预期，费用端短期承压。但随着公司越来越多高端产品通过认证以及大客户付款减少应收账款总额，预期费用端压力能得以释放。子公司芯贝业绩表现良好，通美产能下半年将逐步释放。预计公司2024-2026年归母净利润分别42.6/68.3/108.7百万元。
专利摘要显示，本申请公开了一种功率器件及其制备方法、功率模块、功率转换电路及车辆，属于半导体技术领域。功率器件包括第一掺杂衬底层一面设有漏极层；第一掺杂外延层设于第一掺杂衬底层背离漏极层一面；第二掺杂基区层设于第一掺杂外延层背离第一掺杂衬底层一面；第一掺杂层设于第二掺杂基区层背离第一掺杂外延层一面；源极层设于第一掺杂层背离第二掺杂基区层一面；栅极沟槽设置于两个第二掺杂区间，栅极沟槽和第二掺杂区从第一掺杂层靠近源极层表面起始，延伸至第一掺杂外延层，栅极沟槽底部设有第一沟槽，第一沟槽与栅极沟槽连通，第一沟槽沿栅极沟槽底部周向设置，栅极沟槽的底部、侧壁以及第一沟槽内设有栅氧结构；栅极位于栅氧结构限定的容纳空间。
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