专利摘要显示，本申请公开了一种碳化硅场效应晶体管及其制备方法、功率模块及车辆，属于半导体技术领域。碳化硅场效应晶体管包括：沿第一方向层叠设置的漏极层、第一掺杂衬底层、第一掺杂外延层、第二掺杂基区层、第一掺杂层和源极层；两个源极沟槽从第一掺杂层靠近源极层的表面起始，延伸至第一掺杂外延层，源极沟槽的槽口朝向源极层，源极层向源极沟槽内延伸，源极沟槽内填充有延伸的源极层；栅极沟槽设置于两个源极沟槽之间，栅极沟槽从第一掺杂层靠近源极层的表面起始，延伸至第一掺杂外延层，栅极沟槽的槽口朝向源极层；第二掺杂第一子区域设置于源极沟槽底部远离所述源极层的一侧，且朝向第一掺杂衬底层的方向延伸。可以提高栅极沟槽的击穿电压。
英飞凌是全球最大的功率半导体公司，新的晶圆厂的建成将巩固其领导地位。
风险提示：供应链风险、下游需求波动风险、认证进度不及预期等；其他风险详见倒数第二页标注1。
就投资额来看，台积电熊本工厂（熊本一厂、二厂）占整体比重超过60%。台积电熊本一厂、二厂投资额合计超过200亿美元（约3.14万亿日元），而日本政府最高将对该2座工厂补助1.2万亿日元。
今年一月，三星在2024年国际消费电子展发布了“AI for All”愿景，还提出AI在改善生活体验的同时，要做到保持“非侵入性”。按照三星的说法，设备不应当单独设计AI入口，而是要把AI服务处于润物细无声的“后台运行状态”。
激光光学业务方面，公司预计，随着下游消费电子行业在AI技术推动下迎来复苏，以及泛半导体等高精密制造相关行业的市场需求逐步释放，激光光学业务会获得更多市场机会。
在此过程中，氮化镓的成本也进一步下探，价格有希望逼近甚至比碳化硅更低。据其介绍，在2015年左右，EPC推出的氮化镓功率半导体eGaNFET在相同功率情况下已经可以做到与功率MOSFET不相上下的价格优势。
资本开支方面，公司2024年第二季度资本开支为22.51亿美元，2024年第一季度为22.35亿美元。
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