资料显示，重庆三安意法SiC项目总规划投资约300亿元人民币，项目达产后将建成全国首条8英寸SiC衬底和晶圆制造线，具备年产48万片8英寸SiC衬底、车规级MOSFET功率芯片的制造能力，预计营收将达170亿人民币。
长江证券在半导体设备一季报总结中，提出1）国内晶圆厂加速扩产，前道制造设备公司订单、业绩有望持续增长；2）随着行业下游需求复苏以及先进封装带动，封测厂扩产有望带动封测设备厂商业绩修复。
上证科创板半导体材料设备主题指数简称“科创芯片设计”，指数代码为“950162”。该指数选取科创板内业务涉及半导体材料和半导体设备等领域的上市公司证券作为指数样本，以反映科创板半导体材料和设备上市公司证券的整体表现。样本指数包括睿创微纳、澜起科技等50家科创板上市公司。
博时半导体主题混合A为混合型-偏股基金，根据最新一期基金季报显示，该基金资产配置：股票占净值比93.78%，无债券类资产，现金占净值比6.37%。基金十大重仓股如下：
韩媒称，半导体部门的员工是此次罢工的主力。三星公司则称半导体生产线的运行没有受到重大影响，但韩媒指出，即使许多生产线实现了自动化，操作这些生产线的重要人员也很难替换。半导体生产线一旦停止运转，恢复生产需要耗费大量时间和成本。
该行表示，随着国内企业近几年的技术持续攻关，国家大基金等产业资本的重点扶持，且我国在手机、PC、新能源汽车等终端领域构建的全球优势，待国产存储芯片的产品力达到临界点后，渗透率有望加速提升。
专利摘要显示，本发明提供一种半导体结构、半导体结构制作方法以及存储器的制作方法，所述半导体结构制作方法，包括：提供衬底，衬底上形成有隔离层和接触节点；依次形成第一支撑层和第一介质层，第一支撑层覆盖隔离层和接触节点；形成第一孔，第一孔贯穿第一介质层和第一支撑层并暴露出所述接触节点；在第一孔内填充牺牲层；依次形成第二支撑层、第二介质层和第三支撑层，第二支撑层覆盖第一介质层和牺牲层；形成第二孔，第二孔贯穿第三支撑层、第二介质层和第二支撑层并暴露出所述牺牲层，第二孔的尺寸小于第一孔的尺寸；去除牺牲层；以及，刻蚀第二孔和所述第一孔，以使第一孔与第二孔的尺寸相同。本发明可提高所述第一孔和所述第二孔的尺寸的均匀性。
002654.SZ 万润科技 净利润约2400.0万元~3600.0万元 630.61
每经AI快讯，东吴证券07月11日发布研报称，给予北方华创（002371.SZ，最新价：313.27元）买入评级。评级理由主要包括：1）公司披露2024年半年度业绩预告；2）本土半导体设备平台型公司，将长期受益国产替代浪潮；3）刻蚀设备和薄膜沉积设备是半导体前道核心设备，合计价值量占比高达44%。风险提示：晶圆厂资本开支不及预期、新品产业化进展不及预期等。
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