该晶圆厂将采用130纳米至40纳米的技术，生产包括混合讯号、电源管理和类比产品，以支援汽车、工业、消费性电子及移动设备等终端市场的需求，相关技术授权及技术转移预计将来自台积电。6月底，世界先进发布公告称，VSMC董事会同意斥资1.5亿美元，向世界先进大股东台积电取得40～130纳米BCD等7项技术授权。
消息面上，美国拟长臂管辖日本、荷兰半导体企业。据媒体报道，拜登政府已告诉盟友，如果东京电子和阿斯麦等公司继续向中国提供先进的半导体技术，会考虑使用最严厉的贸易限制。据悉美国会考虑实施外国直接产品规则（FDPR）的措施，对使用哪怕是最微量美国技术的外国制造产品实施管制。FDPR相当于对外国产品实施“长臂管辖”。即使是在美国境外生产的特定物项，如开发或制造直接利用了美国特定受管控的软件或技术，则该物项也将受到《出口管理条例》（EAR）管辖。
从资金流向上来看，当日半导体板块主力资金净流出8.6亿元，游资资金净流入3.74亿元，散户资金净流入4.87亿元。半导体板块个股资金流向见下表：
无锡新厂预计2024年底进入试生产阶段，新增折旧将于25年体现。
根据更新后的许可要求，并据美国出口管理条例734.4.(a).(3)，ASML需要向荷兰政府而非美国政府申请出口许可，才能出货其TWINSCANNXT:1970i和1980i DUV浸润式光刻系统。荷兰出口许可要求已适用于TWINSCANNXT:2000i及后续DUV浸润式系统。ASML的极紫外（EUV）系统的销售也需遵守许可要求。荷兰政府发布的最新许可要求将于9月7日起生效。
需要注意的是，报告期内，先锋精科的员工中学历在专科及以下的员工数量分别为353人、480人、558人、661人，占比分别为78.27%、78.95%、78.59%、80.41%；研发人员中学历在专科的人员数量分别为35人、43人、61人、60人，占比分别为57.38%、57.33%、57.55%、56.6%。
专利摘要显示，本公开涉及一种半导体结构的制备方法及其半导体结构。方法包括：提供基底，在基底上形成叠层结构，叠层结构由第一介质层和第二介质层堆叠而成；形成第一开口，多个第一开口沿第二方向间隔设置；形成初始有源柱，形成第二开口，第二开口位于相邻初始有源柱之间，第二开口沿第二方向的尺寸小于相邻初始有源柱之间的距离，去除部分初始有源柱以形成有源柱；形成字线结构，字线结构设置在有源柱的一侧；形成位线结构，位线结构与有源柱的一端电连接；形成电容结构，电容结构与有源柱的另一端电连接。
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