中信证券认为，国内半导体产业具有巨大的产能缺口，预计长期将持续扩产，短期先进客户订单加速带来更多增量。根据国内各半导体晶圆厂扩产预期，预计2024年半导体设备需求增速超20%；但是根据中国国际招标网数据统计，测算2023年国内半导体设备整体国产率仅为20%左右。半导体设备国产化率有望快速提升，持续看好国内半导体设备公司近几年订单的高速增长。
被韩媒称为三星电子成立55年来首次爆发的大规模罢工将进入第三天。
氮化镓缺陷的光学特性。a，孤立缺陷（2号）的PL图像，用箭头表示，及其周围环境。比例尺，2μm。b， 2号缺陷的光谱图。插图显示了在缺陷周围雕刻的固体浸没透镜的扫描电子显微镜图像。比例尺，4μm。c， 二阶光子自相关 g(2)(τ），其中 τ 是延迟。零延迟自相关 g(2)（0） = 0.3 < 0.5，这与单光子发射器一致。d，磁场依赖性PL测量，磁场大致与GaN晶体的c轴对齐，显示出两组行为，如文中所述。e，与 S ≥ 1 基态 （g） 和激发态 （e） 自旋一致的最小能级图。非辐射系统间交叉（ISC）速率γ国际学习中心进入亚稳态 （M） 与自旋有关。f，与 S ≥ 1 亚稳态一致的最小能级图。非辐射系统间交叉速率γISC，g从亚稳态开始是自旋依赖性的，辐射弛豫速率γ例如与自旋无关。图片来源：Nature Materials （2024）。DOI：
于是，三星组建了自研CPU内核架构的团队，准备于2027年在手机和笔记本电脑产品中将ARM芯片替换为自研的Galaxy Chip；高通也加速了离开ARM的决定，准备最快在下一代骁龙8 Gen4中使用自研架构Nuvia。高通收购的Nuvia，本身已购买过ARM部分IP，双方因Nuvia的IP是否还需要向ARM支付授权费而展开诉讼。
第三次反弹发生在5月24日，上证指数正处于下跌状态，截至6月13日，上涨指数下跌2.81%。半导体材料设备指数在此区间上涨8.99%，逆市走出独立性行情，相较上证指数超额收益达到11.80%。
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