第三代半导体掀起全球扩产潮

证券之星消息，9月12日，华夏国证半导体芯片ETF联接A最新单位净值为0.7081元，累计净值为0.7081元，较前一交易日下跌1.19%。历史数据显示该基金近1个月下跌8.16%，近3个月下跌10.92%，近6个月下跌14.28%，近1年下跌20.33%。该基金近6个月的累计收益率走势如下图：

财务数据显示，截至2024年06月30日，日月光半导体收入总额2730.41亿台币，同比增长2.2%；归母净利润134.65亿台币，同比减少0.68%。

代码名称最新价周涨跌幅10日涨跌幅月涨跌幅688256寒武纪-U268.40元34.60%39.21%35.10%688981中芯国际51.20元5.26%9.78%11.06%002156通富微电23.70元1.28%11.79%5.85%600584长电科技35.11元4.59%11.64%10.72%002371北方华创355.00元8.04%12.94%11.25%

专利摘要显示，本发明公开了一种深紫外 LED 芯片及其制备方法，包括：外延结构，所述外延结构包括依次堆叠设置的衬底、N 型层、有源发光层、P 型层和 P 型接触层，所述 P 型层为光反射性的 P 型层，所述外延结构形成有自所述 P 型接触层延伸至所述 N 型层的通孔，所述外延结构还包括覆盖所述通孔侧壁的绝缘介质层和覆盖至少部分所述绝缘介质层的第一导电层，所述第一导电层电连接所述通孔底部的所述 N 型层；所述外延结构还包括 N 型电极和 P 型电极，所述 N 型电极电连接所述第一导电层，所述 P 型电极电连接所述 P 型接触层；基板，所述外延结构设置在所述基板上，且所述衬底背向所述基板。通过采用倒装芯片设计，高反射电极可以进一步提高 UVC 光的出光效率。

证券之星消息，8月28日，国联安中证半导体ETF最新单位净值为0.6478元，累计净值为1.2956元，较前一交易日上涨0.11%。历史数据显示该基金近1个月下跌10.04%，近3个月下跌4.99%，近6个月下跌5.84%，近1年下跌17.07%。该基金近6个月的累计收益率走势如下图：

4月17日，半导体板块领涨，开盘5分钟，半导体ETF（512480）涨2.15%，成交额6511万元。

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不过，招股书也提示了相应的风险，包括但不限于主要原材料和设备依赖进口且供应商较为集中的风险、市场竞争加剧的风险、未能紧跟技术迭代的风险。